發(fā)布時間：2022-12-12 16:46:54  訪問次數(shù)：974

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DDR5 和DDR4 內(nèi)存區(qū)別在哪？一文了解詳情

不少玩家在選購內(nèi)存時候會看到部分商家會將DDR5和DDR4內(nèi)存進行比較，并且還有各種各樣的時序使自己眼花繚亂，但多數(shù)玩家并不懂這些專業(yè)話術(shù)，所以今天就為你們整理出這些區(qū)別在哪里。

首先DDR5和DDR4內(nèi)存的區(qū)別在于帶寬速度，單片芯片密度，工作頻率三個方面。

一、帶寬速度方面：

與DDR4相比，改進的DDR5功能將使實際帶寬提高36%，目前DDR4的帶寬在25.6GB/s，DDR5的帶寬為32GB/s。

二、工作頻率方面：

DDR4的最低的工作頻率標(biāo)準(zhǔn)為1600MHz，最高工作頻率為3200MHz(不超頻的情況下)，而DDR5的工作頻率最低高達(dá)4800MHz以上，最高頻率達(dá)到6400MHz。

三、單片芯片密度方面：

DDR4目前主要為4GB，單條內(nèi)存的最大容量達(dá)到128GB，而DDR5會有單片超過16GB的芯片密度，可以達(dá)到單條更高容量。

而在功耗方面目前DDR4內(nèi)存的單條功耗為1.2V，DDR5內(nèi)存的功耗將進一步降低到1.1V。同時DDR5具有改進的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

說完了DDR5和DDR4內(nèi)存的區(qū)別，那接下來說一下內(nèi)存的時序起到什么作用。內(nèi)存時序則是一大串?dāng)?shù)字，表述的時候中間用破折號隔開，例如16-18-18-38。

內(nèi)存時序4個數(shù)字對應(yīng)的參數(shù)分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時間周期，也就是一個沒有單位的純數(shù)字。

CL(CASLatency)：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數(shù)。

tRCD(RASto CAS Delay)：內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間。

tRP(RASPrecharge Time)：內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間。

tRAS(RASActive Time)：行地址激活的時間。

越低的時序代表顆粒體質(zhì)越好，超頻的潛力也就越大。內(nèi)存的時序會隨著頻率的增加而增加，內(nèi)存的延遲可以用這個公式來計算：內(nèi)存延時=時序(CLx 2000 )/內(nèi)存頻率。

即使內(nèi)存的時序會隨著頻率的增加而增加，但最后內(nèi)存的延時并沒有太大的變化。頻率相同時，時序越低，延遲也就越小。同樣，時序相同時，頻率越高，延遲也就越小。